东芝推出低电容TVS二极管, 满足Thunderbolt 3和其他高速信号线的静电保护要求

2019-10-18 阅读:0 打印 扫码手机看

  中国 上海,2019年10月17日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,两款低电容TVS二极管(静电保护二极管)---  “DF2B5M4ASL”和“DF2B6M4ASL”开始供货。它们支持Thunderbolt™ 3、HDMI® 2.1和USB  3.1等高速通信标准。新型“DF2B5M4ASL”支持3.6V的最大工作峰值反向电压,另一款“DF2B6M4ASL”则支持5.5V。

  平板电脑、笔记本电脑和游戏机都需要尽可能缩短视频数据或大文件的传输时间,这就要使用10Gbps或48Gbps高速通信标准。随着高速通信中所用到的控制器IC日益小型化,静电保护容限也在不断降低,因此需要加强措施抵抗来自连接器的ESD和浪涌,否则就会导致通信错误和文件损坏等关键性故障。

  此外,连接到高速通信线上的器件会对信号产生很大影响;印刷电路板上的电容、电阻等无源器件可能导致信号波形扭曲。

  低电容新产品能减少上述影响,适用于高速通信。此外,通过优化工艺,新产品的电容典型值可达到0.15pF,比现有产品低25%  左右[1]。这有助于在高速通信中实现稳定电路。

  Ø 应用:

  高速信号线静电保护(平板电脑、笔记本电脑、游戏机及增强现实和虚拟现实设备等)

  Ø 特性:

  ü 总电容低:Ct=0.15pF(典型值)

  ü 高静电放电额定电压[2]

  VESD=±16kV(DF2B5M4ASL),

  VESD=±15kV(DF2B6M4ASL)。

  ü 小型表面安装封装:SL2(封装代码:SOD-962,0.62×0.32×0.3 mm(典型值))

  Ø 主要规格:

产品型号

封装

配置

绝对最大额定值

工作峰值反向电压

VRWM

最大

(V)

总电容

Ct

@VR0V

(pF)

动态电阻

RDYN 

典型值

@IPP18A

至IPP216A

[3]

(Ω)

钳位电压

VC

最大值

@IPP2A

[4]

(V)

库存查询与购买



名称

(封装代码)

尺寸典型值

(毫米)

静电放电电压

VESD

[2]

(kV)

典型值

最大值







DF2B5M4ASL

SL2

(SOD-962)

0.62×0.32×0.3

双向

±16

3.6

0.15

0.2

0.7

15

在线购买

DF2B6M4ASL

±15

5.5

0.15

0.2

0.7

15

在线购买




  注释:

  [1] DF2BxM4SL系列产品

  [2] @IEC61000-4-2(接触)

  [3] @TLP参数:Z0=50Ω,tp=100ns,tr=300ps,窗口平均t1=30ns至t2=60ns

  [4] @基于IEC61000-4-5 8/20μs脉冲

  如需了解有关新产品及产品线的更多信息,请访问以下网址:

  https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/diode/esd-protection-diode.html

  如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况及更多产品线信息,请访问以下网址:https://toshiba.semicon-storage.com/cn/buy/stockcheck.DF2B5M4ASL.html

  https://toshiba.semicon-storage.com/cn/buy/stockcheck.DF2B6M4ASL.html

  *公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。


  关于东芝电子元件及存储装置株式会社

  东芝电子元件及存储装置株式会社,主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。

  更多信息请访问:https://toshiba-semicon-storage.com

  

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